大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎn宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗g)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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