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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(ln是正极还是负极，L是正极还是负极ù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(n是正极还是负极，L是正极还是负极měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn是正极还是负极，L是正极还是负极n)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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