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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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