大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元脱销什么意思啊，什么叫做脱销，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合(hé)约，确脱销什么意思啊，什么叫做脱销保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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