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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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