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一滴水多少ml 一滴水多少克 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日一滴水多少ml 一滴水多少克前,网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发(fā)现,<一滴水多少ml 一滴水多少克strong>美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放,只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng),采(cǎi)购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì),江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān),设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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