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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进形容雨水声音的词语有哪些，形容雨水声音的词语四个字行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在形容雨水声音的词语有哪些，形容雨水声音的词语四个字华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒn形容雨水声音的词语有哪些，形容雨水声音的词语四个字g)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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