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燃气换金属管是骗局吗,燃气需要换金属管吗

燃气换金属管是骗局吗,燃气需要换金属管吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

  据网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī),我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目(mù)的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán),是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称(chēng),为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维护国家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美(měi)国的存燃气换金属管是骗局吗,燃气需要换金属管吗(cún)储芯片行业龙头(tóu),也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商(shāng)此前就分(fēn)析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制,或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  燃气换金属管是骗局吗,燃气需要换金属管吗rong>分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75%。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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