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软化和拉直哪个持久,为啥头发软化了一洗就不直了

软化和拉直哪个持久,为啥头发软化了一洗就不直了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn软化和拉直哪个持久,为啥头发软化了一洗就不直了)一则突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规,我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán),是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.软化和拉直哪个持久,为啥头发软化了一洗就不直了52%;2022年(nián),江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分(fēn)析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān),设(shè)备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提升(shēng),以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等(děng)收入增长。

 

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