大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jī数学集合符号大全图解，数学集合符号大全及意义ng)圆供应商，采(cǎi数学集合符号大全图解，数学集合符号大全及意义)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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