大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键(j多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗iàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèn多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗g)美上海（清洗）等收入增长。

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